[월드경제=이현수 기자] 삼성전자가 18일 12나노급 공정으로 16Gb(기가 비트) DDR5 D램 양산을 시작하고, D램 미세 공정 경쟁에서 기술경쟁력을 확고히 했다고 밝혔다. 12나노급 공정은 5세대 10나노급 공정을 의미한다. 

삼성전자 12나노급 D램은 최선단 기술을 적용, 전(前) 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐으며, 소비 전력도 약 23% 개선됐다.소비 전력 개선으로 데이터센터 등을 운영하는 데 있어 전력 운영 효율을 높일 수 있다.

탄소 배출과 에너지 사용을 줄이는데 적극 동참하고 있는 글로벌 IT 기업들에게 최상의 솔루션이 될 것으로 기대된다.

DDR5 규격의 12나노급 D램은 최고 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다.

이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 
삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12나노급 D램 라인업을 지속적으로 확대해 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획이다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 이주영 부사장은 "업계 최선단 12나노급 D램은 차별화된 공정 기술력을 기반으로 뛰어난 성능과 높은 전력 효율을 구현했다”며  “삼성전자는 대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보해 D램 시장을 지속 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다.